欢迎光临天津市津宗线缆科技有限公司网站!
诚信促进发展,实力铸就品牌
服务热线:

15076644448

产品分类

Product category

技术文章 / article 您的位置:网站首页 > 技术文章 > 同轴电缆的屏蔽衰减探索和实例

同轴电缆的屏蔽衰减探索和实例

发布时间: 2015-04-03  点击次数: 1289次
  物理发泡聚乙烯同轴电缆的屏蔽衰减主要取决以下几个因素:
  
  1:铝箔搭接宽度不少于5mm。
  
  2:铝层厚度建议提高到15μm以上,甚至可以更高到30μm。
  
  3:合理安排衰减,回波,屏蔽的关系,前者和后2者相互矛盾,在衰减合格条件下合理降低发泡度,对提高屏蔽效果和回波都有利。
  
  4:铝箔质量要好,尤其柔韧性好,经过各种弯曲而无裂纹。
  
  5:编织的纵包工艺要提高,以免带子中间褶皱,形成缝隙或者减少了搭接宽度,引起泄露。
  
  6:合理的编织密度。高密度对屏蔽有少许补偿,但是如果编织密度过高,在高频时,大密度编织电缆使得“边频差值”增大,从而放大补偿的难度加大,对电缆性能产生影响。一般40%即可。
  
  7:电缆的敷设过程要避免在小孔或者狭缝中强拉,使铝箔产生裂纹或断裂。
  
  以下几种设计方案屏蔽效果:
  
  分别在30~3000MHz满足ClassA,90dB,100dB